2月10日，西部數(shù)據(jù)公司正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出第五代3D NAND技術，并且將會在后續(xù)的產(chǎn)品中引用這項技術，相比較上代技術而言，這一代技術每片晶圓的儲存容量提高了40%。

基于512GB的BiCS5 TLC（第五代3D NAND技術）西部數(shù)據(jù)目前已經(jīng)成功在消費級產(chǎn)品當中實現(xiàn)量產(chǎn)出貨，而根據(jù)西部數(shù)據(jù)給到的官方消息來看，2020年下半年，BiCS5就可以大規(guī)模的量產(chǎn)，并且隨后西部數(shù)據(jù)也將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC硬盤產(chǎn)品。

而這一次西部數(shù)據(jù)之所以會在短時間內(nèi)著急研發(fā)新一代的3D NAND技術也是為了能夠快速占領市場份額，同時也希望能夠體現(xiàn)西部數(shù)據(jù)在閃存技術方面的持續(xù)領導地位，尤其是這一代技術相比較上一代96層的BiCS4而言，每片晶圓的儲存容量提升了40%，優(yōu)化了成本，同時也提高了性能輸出能力。

尤其是在I/O性能方面，更是相比較前代技術提升了50%，其實這些性能參數(shù)對于消費者而言，還不是特別好理解，我們可以簡單形容，運用了BiCS5技術的閃存產(chǎn)品在數(shù)據(jù)寫入速度方面的延遲僅為500微秒，相比較上代提升了近30%，同時讀取信號的響應時間也大幅度縮短到了50微秒。

這也就意味著，今后的閃存產(chǎn)品如果搭載了這項技術，將會在處理速度方面有一個質(zhì)的飛躍，讓流暢性得到保障也是閃存產(chǎn)品從誕生以來到如今的重要環(huán)節(jié)，很顯然在如今，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)做到了，而今后西部數(shù)據(jù)所將要推出的消費級BiCS5硬盤產(chǎn)品，也定然會在市場中快速占領地位。

而具體的出貨時間，西部數(shù)據(jù)官方已經(jīng)正式確定為2020年下半年，具體的產(chǎn)品也要等到下半年才能夠發(fā)布，感興趣的消費者不妨持續(xù)關注一下，而今后閃存市場中也就又多了一位實至名歸的高性能怪獸。